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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信(xìn)yue是什么意思网络用语，乐是什么意思网络用语息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施(shī)安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎnyue是什么意思网络用语，乐是什么意思网络用语g)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存(cún)储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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