大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施(shī)安(ān)全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)如何把对象玩成喷泉状态，怎么让自己女朋友喷泉施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年(n如何把对象玩成喷泉状态，怎么让自己女朋友喷泉ián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大(dà)和第三大(dà)供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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