大家好，来看(kàn)一则(zé)突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安主动买单的女孩的性格，主动买单的女孩子是什么样的人全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美(měi)光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大(dà)和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙主动买单的女孩的性格，主动买单的女孩子是什么样的人已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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