大(dà)家好，来(lái)看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵(zū抚州市是哪个省的 抚州市是几线城市n)守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，抚州市是哪个省的 抚州市是几线城市2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和(hé)第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额(é)占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶(jīng)圆原抚州市是哪个省的 抚州市是几线城市厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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