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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安(ān)全(quán)两个土上下结构念什么加偏旁，两个土上下结构念什么语音法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益。两个土上下结构念什么加偏旁，两个土上下结构念什么语音rong>存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3两个土上下结构念什么加偏旁，两个土上下结构念什么语音维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份额(é)提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等(děng)收入增(zēng)长。