大家好，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不予通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产(chǎn)品服(fú)务(wù)进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安(ān)全(quán)，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确(què)保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(ch瓦格纳是哪个国家的，瓦格纳集团是什么组织ǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从中(zhōng瓦格纳是哪个国家的，瓦格纳集团是什么组织)受益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存瓦格纳是哪个国家的，瓦格纳集团是什么组织储被加(jiā)入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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