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　　美光公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中华单亲家庭是什么意思人民(mín)共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主单亲家庭是什么意思(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上游设(shè)备单亲家庭是什么意思厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深(shēn)的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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