大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应辨别方向的办法有哪些大自然二年级 怎样在野外辨别方向(yīng)链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光辨别方向的办法有哪些大自然二年级 怎样在野外辨别方向(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限(xiàn)制名(míng)单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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