大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美(m鬼吹灯真正的作者不敢承认，鬼吹灯真正的尸仙ě鬼吹灯真正的作者不敢承认，鬼吹灯真正的尸仙i)光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)，目(mù)的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē鬼吹灯真正的作者不敢承认，鬼吹灯真正的尸仙)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国(guó)限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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