大家(jiā)好，来(lái)看一则突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造(zào)成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购(gòu)美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问(wèn)题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立(伊拉克是不是被灭国了lì)国内外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞(jìn伊拉克是不是被灭国了g)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND F伊拉克是不是被灭国了lash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：绿茶通用站群 伊拉克是不是被灭国了