大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　卅是什么意思，卅是什么意思,读音　此次对美(měi)光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链安全(quán)，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露(lù)过美光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比3卅是什么意思，卅是什么意思,读音3.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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