大(dà)家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国(guó)家关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国(guó)家安(ān)全的(de)必(bì)要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2未置可否和不置可否的区别在哪，未置可否的置是什么意思021年(nián)美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区(qū)销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分未置可否和不置可否的区别在哪，未置可否的置是什么意思析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的(de)结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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