大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在(z什么的灯火如何填空词语 灯火是词语吗ài)华销售(shòu)产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是(shì)防范(fàn)产品网络(luò)安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客户转而(ér)采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì)，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大(dà)量(liàng)的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(c什么的灯火如何填空词语 灯火是词语吗hén)积）等相关(guān)公司(sī)份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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