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　　美光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　之字是什么结构的字，近字是什么结构之字是什么结构的字，近字是什么结构>　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公(gōng)司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存(cún)储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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